IBM ohlašuje průlom v oblasti fázových pamětí

Tereza Sýkorová , 03. červenec 2011 09:02 3 komentářů

IBM vyvinulo pamětové čipy, na něž je možno ukládat více dat v rámci jedné buňky, aniž by došlo k poškození dat. To je problém, který se při výrobě procesorů řeší již 10 let.

Občas se objeví zpráva o průlomu v oblasti ukládacích pamětí, a tentokrát takový průlom ohlásilo IBM, když představilo svou verzi náhrady pevných flashových disků NAND.

IBM oznámilo, že jeho výzkumné oddělení v Zurichu, které se zabývá vývojem fázové paměti, vyvinulo čipy vyráběné 90 nanometrovou technologií, které umožňují ukládání více datových jednotek na jednu buňku aniž by došlo k jejich poškození. S problémem poškození dat se IBM potýkalo již od započetí výzkumu před deseti lety.

Dříve mohla každá buňka procesoru obsahovat pouze jednu datovou jednotku, a i tak docházelo k poškození dat v nečekaných okamžicích. IBM míní, že jeho nejnovější technologie umožní výrobu pevných čipů, na něž bude možné uložit stejné množství dat jako na NAND flash disky (které mají v současnosti kapacitu 1TB), ale s přibližně 100 krát rychlejší pohyblivostí dat a delší životností.

NAND flash paměť je zpomalována tzv. limitacemi mazacího a zapisovacího cyklu. Je tomu tak proto, že NAND flash vyžaduje, aby data nejdřív byla označena ke smazání, než budou na disk nahrána nová data, což celý proces znatelně zpomaluje. Nový čip PCM mazací a zapisovací cykly nevyžaduje.

Mazací a zapisovací cykly způsobují postupnou ztrátu výkonnosti NAND flash disků a časem je opotřebovávají. Obvyklá životnost NAND flash disku je pět až deset tisíc zapisovacích cyklů a až sto tisíc cyklů v kategorii podnikových disků.

Naproti tomu nový PCM zvládne přibližně 5 milionů zapisovacích cyklů, jak tvrdí IBM a Intel. Obě společnosti se domnívají, že s takovou životností se svět počítačů a ukládání dat do pěti let od základu změní.

Zdroj: eWeek


Komentáře

Náhodný kolemjdoucí #1
Náhodný kolemjdoucí 04. červenec 2011 09:40

"čipy o velikosti 90 nanometrů"
Jak jsou veliké? 90x90 nanometrů, nebo mají plochu 90 nanometrů čtverečních?
No, neumím si představit ani jednu variantu!

Roman Horník #2
Roman Horník 05. červenec 2011 05:01

Pokud vím, 90nm je šířka / dýlka (co je kratší) každýho z nejmenších tranzistorů na čipu.

Karel Wolf 06. červenec 2011 10:35

Dobrý den, máte samozřejmě pravdu, chyba byla bohužel již ve zdrojovém textu, za neúmyslné matení čtenáře se omlouváme.

- Karel Wolf -


RSS 

Komentujeme

Zákaznické karty čekají změny

Pavel Houser , 17. leden 2017 13:00
Pavel Houser

Jedna z technologií, která se už po léta prakticky nezměnila, i když by mohla? Prý karty zákazníků d...

Více





Kalendář

06. 02.

07. 02.
konference G2B TechEd
15. 02. IDC Predictions 2017
22. 02. IT mezi paragrafy
RSS 

Zprávičky

ÚOOÚ za nevyžádaná obchodní sdělení uložil i půlmilionovou pokutu

ČTK , 18. leden 2017 14:00

Úřad pro ochranu osobních údajů (ÚOOÚ) v souvislosti s nevyžádanými obchodními sděleními udělil loni...

Více 0 komentářů

O2 spustila volání přes rychlé mobilní sítě LTE

ČTK , 18. leden 2017 12:00

Operátor O2 spustil službu volání v rychlé mobilní síti LTE. Největšími výhodami VoLTE jsou velmi kr...

Více 1 komentářů

Průměrná rychlost mobilního internetu loni stoupla na 23,8 Mbit/s

ČTK , 18. leden 2017 07:00

Průměrná rychlost mobilního internetu v Česku se v loňském roce zvýšila o 39 procent na 23,8 Mbit/s....

Více 0 komentářů

Starší zprávičky

Telefónica má zaplatit 1,7 miliardy Kč Tykačovým firmám

ČTK , 17. leden 2017 15:00

Španělská telekomunikační společnost Telefónica má zaplatit firmám podnikatele Pavla Tykače 1,7 mili...

Více 0 komentářů

Embarcadero oznamuje podporu Desktop Bridge v produktu RAD Studio

ITBiz.cz , 17. leden 2017 12:00

Společnost Embarcadero Technologies (divize společnosti Idera), vedoucí dodavatel softwarových řešen...

Více 0 komentářů

Pokrytí LTE loni stouplo na 98 procent populace

ČTK , 17. leden 2017 07:00

Pokrytí Česka rychlými mobilními sítěmi LTE se loni zvýšilo na 98 procent populace, což je o čtyři p...

Více 0 komentářů

Reuters: Hlavní příčinou potíží telefonů Galaxy Note 7 je baterie

ČTK , 16. leden 2017 14:00

Hlavní příčinou samovzněcování některých chytrých telefonů Galaxy Note 7 byla baterie. Podle zdroje ...

Více 0 komentářů