Intel certifikoval paměti typu DDR3 (Double Data Rate 3) firmám Samsung, Micron a Elpida. Nové paměťové moduly bude osazovat ve svých chipsetech s kódovým označením „Bearlake“.
Samsung, Micron a Elpida se připojily ke společnosti Hynix Semiconductor s první vlnou pamětí typu DDR3. Všechny čtyři firmy budou vyrábět moduly DDR3-800 a DDR3-1066, které budou spolu s procesory Core 2 Duo od společnosti Intel představeny během Computexu.
Nové paměti budou samozřejmě rychlejší než jejich starší kolegové DDR2, ale také budou mít menší spotřebu elektrické energie, a to o 0,3 V. Přenosové rychlosti budou okolo 1,6 Gb/s, což je dvojnásobně více oproti starší generaci.
Paměti typu DDR3 by se měly objevit na trhu kolem druhé poloviny tohoto roku, kapacity vyráběných modulů by měly být standardně 512 MB, 1 GB a 2 GB. Podle analytiků si běžní uživatelé budou pořizovat tyto paměti kvůli cenám v rozmezí roku 2008 a 2009.