Korejský Samsung Electronics zahájil výrobu paměťových čipů typu DDR3 založenou na 20nm výrobní technologii, výroba využívá imerzní litografii s laserem na bázi argonu a fluoru.
V případě pamětí typu DRAM, u nichž se každá paměťová buňka skládá z navzájem propojeného kondenzátoru a tranzistoru, je další miniaturizace oproti paměti typu NAND Flash, kde každá buňka obsahuje pouze tranzistor, obtížnější. Pro další miniaturizaci složitějších paměťových čipů typu DRAM musel Samsung upravit technologie používané při návrhu a výrobě paměťových obvodů a přišel s technologií dvojité expozice a upraveným postupem nanášení atomové vrstvy.
Nové moduly založené na 20nm DDR3 s kapacitou 4 GB dokáží ušetřit údajně až 25 % energie spotřebované srovnatelnými moduly vyrobenými pomocí předchozí 25nm výrobní technologie.
Nový výrobní postup je průlomovým krokem vpřed, neboť umožňuje produkovat paměti DDR3 s použitím 20nm výrobního procesu na stávajících fotolitografických zařízeních, a dává tak základ pro budoucí výrobu DRAM čipů na bázi 10nm výrobního procesu. Samsung také vytvořil ultratenké dielektrické vrstvy tvořené kondenzátory nebývalé pravidelnosti, což umožňuje dosáhnout lepších výkonnostních parametrů paměťové buňky.
Podle údajů z průzkumu trhu provedeného společností Gartner vzroste globální trh s paměťovými moduly DRAM z 35,6 mil. USD v roce 2013 na 37,9 mld. USD v roce 2014.
