Triple-level-cell, neboli NAND paměť se třemi bity informace na buňku, není až zase taková výhra, jak se myslelo. Dlouhodobý test prokázal, že se disky postavené na této technologii opotřebovávají rychleji, než disky postavené na MLC paměti, a brzy začínají vykazovat chyby.
S informací přišel server TechReport, který prováděl dlouhodobé srovnání šesti SSD úložišť od renomovaných výrobců. Kromě dvou disků od Samsungu (840 Series 250 GB a 840 Pro 256 GB) se testu zúčastnila SSD Corsair Neutron GTX 240 GB, Intel 335 Series 240 GB, Kingston HyperX 3K 240 GB.
Test probíhal kontinuálním zápisem pomocí aplikace Anvil’s Storage Utilities, která ukládá na disk vysokou rychlostí nekomprimovaná data a zároveň sleduje stav úložišť po stanoveném datovém limitu. Simulaci reálného provozu trochu kazí omezení na sekvenční druh zápisu, ten byl ale pochopitelně zvolen kvůli časové proveditelnosti celého úkonu.
840 Series od Samsungu chybovala poprvé po zápisu 200 GB dat, kdy nebylo možné data správně přečíst a třikrát byla získána chybná kontrolní MD5 hash suma uložených dat. Po dosažení 300 TB pak disk vykázal 833 realokovaných sektorů, tedy přibližně 1,2 GB opotřebované flash paměti (vycházíme z předpokladu 1,5 MB velkého sektoru). Z konkurence vykázal čtyři realokované sektory Kingston HyperX a jeden realokovaný sektor Intel 335.
