Korporace Toshiba a SanDisk oznámily vyvinutí multi-level-cell NAND paměti, která je vyráběna 19 nm výrobním procesem. Společnosti tak předehnaly duo Intelu a Micronu, které o dva týdny dříve oznámilo vlastní 20 nm NAND paměť.
Kapacitně se oba typy čipů podobojí, paměť jednoho čipu je 8 GB. Hlavní výhoda by měla ale spočívat v nižších nákladech na výrobu a tím pádem nižší koncové ceně produktu.
Kapacita jedné buňky paměti jsou dva bity informace, SanDisk ale plánuje koncem letošního roku uvést na trh variantu paměti se třemi bity informace na buňku. Onen jeden bit informace navíc zvýší kapacitu čipu o 50 %. Paměť je navržena tak, aby poskytovala stejnou spolehlivost a podobný výkon jako single-level-cell paměti, využívá k tomu technologii SanDisk’s All-Bit-Line (ABL).
Toshiba hodlá ze začátku skládat z čipů svazky po 16 kusech a vytvářet tak 128 GB disky. Podobně jako v případě Micronu a Intelu, bude masová výroba zahájena v druhé polovině roku. S využitím čipů se počítá v SSD, chytrých telefonech a tabletech.
Toshiba dále oznámila, že byla nucena pro měsíc květen a červen omezit výrobu současných NAND pamětí z důvodu nedostatku prázdných waferů a dalších materiálů, které jí poskytují japonští dodavatelé zasažení nedávnou přírodní katastrofou.
Celkově trh očekává závažné změny na poli NAND flash pamětí každého půl roku, konec toho letošního by měl být zlomový zejména co se týče adaptační křivky této slibné technologie.