Firmy Micron Technology a IBM oznámily zahájení výroby nového typu pamětí, ty využívají novou 3D technologii Through-silicon vias (TSV) vyvinutou právě v laboratořích International Business Machines. Paměti Hybrid Memory Cube od Micronu dosáhují přibližně patnáctkrát vyššího výkonu než poskytují v současnosnti komerčně používané technologie.
Paměť HMC využívá technologie TSV k propojení vrstev 3D struktury. TSV jsou vertikální vodivé kanály elektricky spojující jednotlivé vrstvy tvořené samostatnými čipy. Díky technologii je možné kombinovat vysoce výkonné paměti DRAM vyvinuté společností Micron. HMC nabízí zajímavé vylepšení.
Prototypy HMC například vykazují propustnost až 128 gigabytů za sekundu (GB/s), zatímco nejlepší dnešní zařízení jsou o řád pomalejší. HMC rovněž spotřebuje o 70 % méně energie a je i výrazně menší. Ve srovnání s konvenční pamětí o stejné kapacitě vyžaduje jen asi 10 % plochy. HMC umožní vznik nové generace aplikací z širokého spektra oborů počínaje vysokokapacitními sítěmi přes výkonné počítače, automatizovaná průmyslová řešení až po spotřebitelské produkty.
Posun ve vývoji čipů potvrzují i výsledky nedávné mezinárodní konference International Electron Device Meeting. Vývojový tým vědců z IBM na ní odhalil několik zajímavých objevů. Paměťi typu Racetrack kombinující přednosti magnetických disků a SSD (Solid State Disk), grafen technologii, která umožní provozovat systémy při vyšších teplotách nebo technologie využívající uhlíkové nanotrubice s tranzistory s kanálem menším než 10 nm.
Tyto objevy by mohly vést k zásadním změnám a umožnit další pokrok v podobě vytváření menších a rychlejších počítačových čipů. Samotný vývoj čipů totiž začíná být omezován fyzikálními limity křemíkového tranzistoru.