Samsung představil první 8Gb LPDDR4 mobilní paměť DRAM

Nové mobilní paměti Samsung DRAM LPDDR4 (low power double data rate 4) jsou vyráběny 20nm výrobní technologií a na jednom čipu nabízí kapacitu 1 GB, což je momentálně největší hustota DRAM pamětí. Se čtyřmi čipy, každý s kapacitou 8 Gb, poskytne jedno pouzdro 4 GB LPDDR4, tedy nejvyšší dostupnou úroveň výkonu.

„Tato nová generace pamětí DRAM LPDDR4 významně přispěje k rychlejšímu růstu globálního mobilního trhu s DRAM paměťmi, který bude brzy tvořit největší podíl na celém trhu s DRAM paměťmi,“ uvedl Young-Hyun May, výkonný viceprezident pro obchod a marketing divize pamětí společnosti Samsung Electronics.

Kromě toho LPDDR4 používá nízkonapěťové Low Voltage Swing Terminated Logic (LVSTL) I/O rozhraní, které Samsung původně navrhl pro JEDEC. Nové čipy dosahují přenosové rychlosti až 3 200 Mb/s, což je dvojnásobek rychlosti současně vyráběných DRAM LPDDR3. Zároveň však spotřebuje přibližně o 40 % méně energie při napětí 1,1 V.

S novým čipem se společnost Samsung plánuje zaměřit nejen na prémiový mobilní trh, včetně UHD smartphonů s velkým displejem, ale také na tablety a ultra-slim notebooky, které nabízejí zobrazení čtyřikrát vyšší než Full-HD rozlišení, a také na vysoce výkonné síťové systémy.