Společnost Samsung včera představila první 8Gb mobilní paměť DRAM, její hlavní výhoda vedle kapacity je výrazně snížená spotřeba energie.
Nové mobilní paměti Samsung DRAM LPDDR4 (low power double data rate 4) jsou vyráběny 20nm výrobní technologií a na jednom čipu nabízí kapacitu 1 GB, což je momentálně největší hustota DRAM pamětí. Se čtyřmi čipy, každý s kapacitou 8 Gb, poskytne jedno pouzdro 4 GB LPDDR4, tedy nejvyšší dostupnou úroveň výkonu.
„Tato nová generace pamětí DRAM LPDDR4 významně přispěje k rychlejšímu růstu globálního mobilního trhu s DRAM paměťmi, který bude brzy tvořit největší podíl na celém trhu s DRAM paměťmi,“ uvedl Young-Hyun May, výkonný viceprezident pro obchod a marketing divize pamětí společnosti Samsung Electronics.
Kromě toho LPDDR4 používá nízkonapěťové Low Voltage Swing Terminated Logic (LVSTL) I/O rozhraní, které Samsung původně navrhl pro JEDEC. Nové čipy dosahují přenosové rychlosti až 3 200 Mb/s, což je dvojnásobek rychlosti současně vyráběných DRAM LPDDR3. Zároveň však spotřebuje přibližně o 40 % méně energie při napětí 1,1 V.
S novým čipem se společnost Samsung plánuje zaměřit nejen na prémiový mobilní trh, včetně UHD smartphonů s velkým displejem, ale také na tablety a ultra-slim notebooky, které nabízejí zobrazení čtyřikrát vyšší než Full-HD rozlišení, a také na vysoce výkonné síťové systémy.
