MRAM podle Toshiby může nahradit v současnosti používané SRAM v mobilních procesorech.
Japonská společnosti Toshiba se podařilo vyvinout vysokorychlostní a úspornou verzi paměti MRAM, která má snížit spotřebu CPU až o dvě třetiny.
MRAM (magnetoresistive random access memory) má být použit jako cache v mobilních procesorech namísto v současnosti rozšířené SRAM. „Poslední dobou se používá stále více SRAM v mobilních procesorech, což zvýšilo jejich spotřebu,“ komentoval situaci mluvčí Toshiby Atsushi Ido.
„Náš výzkum se zaměřuje na úsporu energie při současném zvýšení rychlosti namísto zvyšování velikosti paměti,“ dodává Ido. Snižování spotřeby je klíčové pro mobilní zařízení, u kterých vyzařované teplo a boj s výdrží baterie jsou palčivými problémy pro výrobce.
V rámci vývoje Toshiby se jedná o paměti MRAM o kapacitě v řádech jednotek Megabytů. Ve spolupráci s dalšími společnostmi ale připravuje Toshiba také paměti s výrazně větší kapacitou jako případnou náhradu za DRAM a flash paměti.
Technologie MRAM na rozdíl od většiny RAM technologií není založena na elektrickém náboji, ale magnetismu. Technologie, jejíž prvky jsou velké přibližně 30 nm, pracuje se spinem elektronů, pomocí něhož ovlivňuje vlastnosti magnetických částí a je tak možné zapisovat data s využitím menšího množství elektrické energie.